Убрзавање транзистора
Електрони брже трче
У следећих 10–15 година силицијум ће стићи до последње границе, сада се уводе нови полупроводнички материјали 
 
Наследник силицијумског транзистора
(Фото МИТ)
 


Силицијумски транзистори стићи ће, у следећих десет–петнаест година, до своје последње границе.
Деценијама опстајући сам у немилосрдној трци, почео је све више да посустаје у брзини. Куцнуо је час за наследника хитријег корака.
Савремени човек у сваком часу, у руци или џепу, уз себе носи милијарде транзистора у свакојаким справама и направама. Желимо ли моћније преносне рачунаре, мобилне телефоне или музичке плејере, потребни су нам полупроводнички материјали којима електрони, тамо-амо јурцајући, брже преносе поруке.
Научници из славног Масачусетског института за технологију (МИТ) недавно су га представили – необичан тролист индијума, галијума и арсенида (InGaAs). Сврставају га у сложена (композитна) полупроводничка једињења (III-V), насупрот једноставном силицијуму. Преносиоци наелектрисања у овом необичном споју достизаће неколико пута већу брзину, што ће уродити будућим знатно мањим и знатно бржим транзисторима, кључним састојцима чипова. Већ су прва мерења показала да је у протоку струје два и по пута надмашио својег претходника и да је смањен на 60 нанометара (милионити део милиметра) дужине.

Укратко речено, изједначио се с данас најмоћнијим силицијумским од 65 нанометара. С нижим напоном (0,5 волти), значи мањим утрошком енергије.

Најављује се да ће се у следеће две године појавити претече нове врста транзистора, чија ће уградња на велико отпочети, отприлике, за деценију или мало раније. Масачусетске истраживаче из три лабораторије, које предводи професор Хесус дел Аламо, у овом подухвату потпомажу две супарничке компаније – „Интел” и АМД.

Неколико дана касније на Универзитету Илиноис поново су премашили властиту транзисторску брзину, и до сада највећу на свету, достигавши радни такт од 845 гигахерца. Чак 300 гегахерца више од следећег иза, приближавајући се циљу од – једног терахерца.

И овде је употребљен нови спој, индијум фосфид и индијум-галијум арсенид (овај други састојак сте већ упознали), чиме је убрзан ток електрона, а повећана густина (наелектрисање). Истраживачи намеравају да усаврше поступак израде, тако да 10.000 пута бити тањи од људске власи (12,5 нанометара).

Умањивање ће извести и усправно и водоравно, скраћујући путању коју преваљују електрони, што ће битно убрзати пуњење и пражњење, дакле брзину транзистора. На собној температури (25 Целзијусових степени) радни такт износио је 765, а кад је охлађен на 55 испод нуле порастао је на – 845 гигахерца.

С даљим увећањем брзине опашће густина струје и температура на саставцима, а побољшаће се поузданост.

-----------------------------------------------------------

Најбржи проток

„Сименс” је поново најбрже на свету проследио податке с једног на други крај рачунарске мреже (раздаљина око 180 километара), што ће утрти пут бржем Интернету. Достигнута је брзина од 107 гигабита у секунди, два и по пута већа од досадашње. То је, отприлике, као када бисте пропустили два филмска DVD-ја у секунди!

Подаци су први пут пројурили оптичким везама изван лабораторије. Уско грло у светској рачунарској мрежи, изазвано порастом учитавања музичких и видео-записа и играњем интерактивних игрица, изискује бржи проток. Један од начина убрзавања јесте да се пре и после пропуштања дигитални подаци разделе на више снопова и претворе у светлосне, а касније опет преобрате у електричне сигнале.

Немачка компанија осмислила је поступак без деобе на снопове који ће се појавити на тржишту за неколико година. Предвиђа се да ће већ 2011. Интернет у Европи бити готово загушен само преснимавањем музичких записа.

 
Izvor

kad li ce EI nis da proizvede nesto takvo...